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集微网消息，近期，中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队，在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上，提出并研发出一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件（VCNFET）以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”。
据悉，其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制，为大规模制造高性能器件奠定基础，研制出的硅基器件亚阈值摆幅（SS）以及漏致势垒降低（DIBL）分别为61mV/dec和8mV/V，电流开关比高达6.28×109，电学性能优异。
近日，该研究成果发表在电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters上，先导中心博士生肖忠睿为该文第一作者，朱慧珑研究员为通讯作者。该研究得到科技部、中科院和北京超弦存储器研究院的项目资助。（校对/韩秀荣）
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